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BSC009NE2LS5ATMA1

功能描述：MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：41A（Ta），100A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：0.9 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：57nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3900pF @ 12V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：*

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8

标准包装：1

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